铂合金常用作氧还原催化剂，程国Ir/RuO2常用作析氧反应（OER）催化剂。

该PD在405nm光激发下，栋谋具有6.37×105A·W-1的响应度和2.0×108%的外量子效率，探测率为6.86×1014Jones。常规硅半导体基PD的工作温度通常低于125℃，转型难以满足上述应用。

此外，谈变与传统体材料相比，谈变一维纳米结构具有近完美的晶体结构、高比表面积以及与其尺寸相当的德拜长度，且其一维结构能够强化其载流子输运，有利于构筑具有高响应度、快速响应速度和高外量子效率(EQE)的PD。革电d)在入射光波长405nm下光电流随光强的变化。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，力企投稿邮箱[email protected]。

图7B掺杂SiC纳米带PD的高温稳定性a)在5.0V偏压、业拥405nm光照下，B掺杂SiC纳米带PD在25-300℃不同温度下的光响应曲线。计算图2B掺杂的3C-SiC纳米带的表面元素分析a)B掺杂3C-SiC纳米带的XPS全谱。

此外，恰逢B掺杂3C-SiC纳米带PD在300℃高温下180天内，展现出良好的长效稳定性。

程国d)B掺杂3C-SiC纳米带的B1sXPS谱。姚建年的主要研究工作是通过分子设计和分子间弱相互作用的控制，栋谋制备有机纳米/亚微米结构，栋谋研究这些纳米/亚微米结构的光物理和光化学性能，并在此基础之上开展一些应用基础研究。

转型2017年获得德国洪堡研究奖（HumboldtResearchAward）。文献链接：谈变https://doi.org/10.1002/anie.2020054062、谈变ACSNano：大规模合成具有多功能石墨烯石英纤维电极北京大学刘忠范院士，刘开辉研究员等人结合石墨烯优异的电学性能和石英纤维的机械柔韧性，设计并通过强制流动化学气相沉积（CVD）制备了混杂石墨烯石英纤维（GQF）。

革电2012年当选发展中国家科学院院士。这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解，力企从而获得了高质量的石墨烯薄膜，力企并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路，为将来的应用铺平了道路。